Особенности применения драйверов MOSFET и IGBT
Благодаря отрицательному температурному коэффициенту тока короткого замыкания появилась возможность создавать транзисторы, устойчивые к короткому замыканию. Сейчас транзисторы с нормированным временем перегрузки по току выпускаются практически всеми ведущими фирмами. Отсутствие тока управления в статических режимах позволяет отказаться от схем управления на дискретных элементах и создать интегральные схемы управления — драйверы. В настоящее время ряд фирм, таких как International Rectifier, Hewlett-Packard, Motorola, выпускает широкую гамму устройств, управляющих одиночными транзисторами, полумостами и мостами — двух- и трехфазными. Кроме обеспечения тока затвора, они способны выполнять и ряд вспомогательных функций, таких как защита от перегрузки по току и короткого замыкания Overcurrent Protection, Short Circuit Protection и падения напряжения управления Under Voltage LockOut — UVLO. Для ключевых элементов с управляющим затвором падение напряжения управления является опасным состоянием.
На рис. В этом драйвере верхний или нижний ключи и блок обработки сигнала разделены изоляцией потенциала для управляющих сигналов, сигналов управления мощностью и обратной связью по выходу и при сбоях. В «простых» цепях драйвера эта изоляция потенциалов может комбинироваться общая передача энергии и сигнала или они частично или даже полностью отсутствуют например, цепи самоконтроля для верхнего источника питания. Низковольтные ключи или коммутаторы особенно только нижний ключ включен требуют очень упрощенную структуру драйвера, так как простые ключи можно реализовать без множества блокировок и функций защиты.
- Зачем использовать микросхему драйвера затвора?
- Драйвер англ. Драйвером обычно называется отдельное устройство или отдельный модуль, микросхема в устройстве, обеспечивающие преобразование электрических управляющих сигналов в электрические или другие воздействия, пригодные для непосредственного управления исполнительными или сигнальными элементами.
- Мощные полевые MOSFET-транзисторы и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT-транзисторы являются базовыми элементами современной силовой электроники и используются в качестве элементов коммутации больших токов и напряжений. Однако для согласования низковольтных логических управляющих сигналов с уровнями управления затвора MOSFET- и IGBT-транзисторов требуются промежуточные устройства согласования — высоковольтные драйверы.
- Фото: soft-logistic. Мощные транзисторы часто используются в приложениях переключения, т.
.jpeg.a5ea14e5ef83390d30e646390a7d04f3.jpeg "Возможно, вам также будет интересно")
Ярким светодиодам видимого диапазона нужен источник постоянного тока. В описанной ниже простой схеме такого источника, не создающей радиопомех, используются преимущества, предоставляемые новыми нормально открытыми мощными MOSFET обедненного типа. Исторически простейшим способом управления такой нагрузкой, как светодиод, является использование постоянного или переменного сопротивления между источником питания и нагрузкой Рисунок 1. Достоинством этой схемы является только низкая стоимость, поскольку ток не остается постоянным, а зависит от напряжения питания и изменяется с повышением температуры при увеличении токовой нагрузки. Возможности источников постоянного тока, построенных с использованием нормально открытых полевых транзисторов с управляющим p-n переходом или обедненных MOSFET, ограничены очень низкими уровнями мощности. Эти устройства управляются напряжением, а не током, как в старых транзисторах с биполярным переходом.
